科学家揭示阻变存储器失效机制 改善器件可靠性

（原标题：科学家揭示阻变存储器失效机制）

本报讯 近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于日前发表在《先进材料》上，并被选为封面文章。

阻变存储器具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。但阻变存储器在实现大规模应用之前还有一些关键的问题需要克服，特别是器件的失效机制及可靠性改善仍需开展进一步的研究。