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特点:
适用于2英寸~8英寸晶圆,高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术; 高工艺重复性,超清洁无污染环境、 高冷却速率低记忆效果。 可实现高达10-6 mbar的高真空环境。 高温计和热电偶控制,高速数字PID温度控制器,边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样品的基座的加强温度控制。
使用特点:
温度范围:RT to 1500°C;
斜坡速率:最高250°C/s;
气体混合功能:使用质量流量控制器控制;
真空范围:大气压~10-6 Torr,可配置分子泵;
本系统提供全电脑控制,应用控制软件兼容window系统。
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